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古河電気工業株式会社 横浜研究所 | 論文
- 長波長帯多層化量子ドットレーザの低閾値電流密度発振(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- 光機能化学-光触媒を中心にして-, 藤嶋昭, 瀬川浩司(著), 昭晃堂, (2005-04), A5判, 定価(本体3,200円+税)
- SC-1-10 2 次元フォトニック・クリスタルを用いた垂直共振器面発光レーザ
- 面発光レーザーの光LAN応用と研究開発状況
- GalnAsP/InP光減衰器集積導波路型受光素子
- C-4-46 高信頼性ハイパワーDFBレーザ
- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作
- MOCVD法によるGaN/Siの結晶成長 : エピキタシャル成長III
- 光照射MOCVD法によるGaNP成長と光学的評価 : エピタキシャル成長I
- 開放形共振器による複素比誘電率測定(その2)
- SC-2-9 ミリ波帯域におけるファインセラミックスの複素比誘電率の試験評価技術検討(SC-2.マイクロ波・ミリ波材料測定技術におけるシミュレーションの役割)
- 直接接着法によるGaAs基板上の波長1.3μmレーザ
- 1.3μm GaInAsP/InP歪量子井戸面発光レーザ
- 直接接着法を用いたGaAs基板上の波長1.3μmレ-ザの開発
- 1.3μm GaInAsP/InP面発光レーザ
- 1.3μm帯 GaInAsP/InP 引張歪量子井戸レーザ
- TDR 反射鏡を用いた波長 1.3μm 高温特歪量子井戸レーザ