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北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- GaAs加工基板を用いた自然形成InAsドットの作製とそのデバイス応用
- ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 位相変動方向検出回路による周期比較方式PLLの高精度化
- Thin Surface Barrier(TSB)モデルに基づいたGaN系ショットキー接合のリーク機構の考察(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 自然形成InAs量子ドットの形成と単電子デバイスへの応用
- 自然形成InAs量子ドットの形成と単電子デバイスへの応用
- 化合物半導体量子細線および量子ドットの製作
- 利得媒質と電場増強効果を用いたテラヘルツ増幅器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 薄いAlGaN障壁層を持つAlGaN/GaN HFETのAl_2O_3ゲート制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 薄いAlGaN障壁層を持つAlGaN/GaN HFETのAl_2O_3ゲート制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- C-10-3 カーボンナノチューブ分散セラミックの電気的特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-4 カーボンナノチューブにおける一次元伝導の評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- Al薄膜を用いた表面プロセスによるAlGaNショットキー界面のリーク電流制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Al薄膜を用いた表面プロセスによるAlGaNショットキー界面のリーク電流制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Al薄膜を用いた表面プロセスによるAlGaNショットキー界面のリーク電流制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- A-1-24 能動インダクタ負荷によるIF増幅器付き電流駆動型受動ミキサ(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- A-1-37 TDC付きシングルスロープ用AD変換器用メタステーブル抑制回路(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-12-47 スタック構造による低電力CMOS論理回路(センサ、電源回路、デジタル,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-15 ウェイクアップ受信器のための低消費電力検波器・高利得増幅器(低電力回路技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-2 アンビポーラFETを用いた発振回路(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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