スポンサーリンク
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- 非線形線路を用いた新しい全電気極短パルス生成法の提案(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- A-1-4 Delay-Line上で記憶保持を行うTime-to-Digital Converterの提案(A-1. 回路とシステム,一般セッション)
- InGaAsリッジ量子細線ネットワーク構造形成とそのデバイス応用
- MBE選択成長によるInGaAsリッジ量子構造の作製とそのデバイス応用
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ショットキーラップゲート制御AlGaN/GaNナノ細線FETの試作と評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ヘキサゴナルBDD量子論理回路をベースにした超低消費電力ナノプロセッサの実装(量子効果デバイス及び関連技術)
- ヘキサゴナルBDD量子論理回路をベースにした超低消費電力ナノプロセッサの実装(量子効果デバイス及び関連技術)
- ヘキサゴナル量子BDD論理サブシステムの設計・実装とナノプロセッサ算術論理演算回路への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- ヘキサゴナル量子BDD論理サブシステムの設計・実装とナノプロセッサ算術論理演算回路への応用(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-12-9 人工誘電体を用いた高利得シリコン基板上アンテナ(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-1 カーボンナノチューブにおける一次元伝導の観測(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- A-1-34 位相変動方向検出回路による周期比較方式PLL(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-12-32 カスコード構造による低電力CMOS論理回路(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-2-32 マルチバンド無線通信用インダクタレス低雑音増幅器の設計(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
スポンサーリンク