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北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- A-1-50 ディレイライン上で記憶保持を行うTime-to-Digital Converterの高性能化(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-12-47 周期比較方式PLLにおける発振器雑音の影響(C-12.集積回路,一般セッション)
- 高精度周期比較器を用いたループ特性に依存しないデジタル制御PLLの検討と試作(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 高精度周期比較器を用いたループ特性に依存しないデジタル制御PLLの検討と試作(ワイヤレスとワイヤライン,アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- InP系高速デバイス用多層エピタキシャル構造のSi超薄膜による表面不活性化
- C-11-6 グラフェン-チャネルFETを用いた論理回路の解析(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用,AWAD2006)
- AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ヘキサゴナルBDD量子集積回路のための量子細線スイッチの特性(量子効果デバイス及び関連技術)
- ヘキサゴナルBDD量子集積回路のための量子細線スイッチの特性(量子効果デバイス及び関連技術)
- 窒化物電子デバイスにおけるショットキー界面および絶縁体界面の制御(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- 窒化物電子デバイスにおけるショットキー界面および絶縁体界面の制御(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- C-12-12 全ディジタルPLLにおける高精度周期比較器の導入(C-12. 集積回路BC(クロック・発振器),一般セッション)
- A-1-40 ディジタル制御PLLにおける線形特性DCO(A-1.回路とシステム,一般講演)
- 周期比較器を用いたディジタル制御PLL(アナログ回路技術ショートノート-アナログ回路技術の創造と伝承を目指して-)
- A-1-7 波長比較器を用いたデジタル制御PLLの検討(A-1.回路とシステム,一般講演)
- 新形高性能トランジスタ : β-MOSFET(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
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