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北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- Large photocurrent-response observed at Pt/InP Schottky interface formed on anodic porous structure
- C-2-20 10.3GHz Quadrature電圧制御発振器の検討(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-1 MOSFETスイッチによる対称型可変インダクタの試作(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-10-16 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-12-67 DCオフセット除去機能を持つダイレクトコンバージョンミキサ(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-40 低電力ウェイクアップ受信器のためのPWM復調回路 : 試作と測定(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-30 スタック構造によるCMOS論理回路の低電力化(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-14 rGOネットワークの電気的特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-13 カーボンナノチューブネットワークの低抵抗化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-12 CNT添加カーボンファイバの電気的特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- A-1-2 低消費電力TDC付きマルチスロープAD変換器(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Characterization of Low-Frequency Noise in Etched GaAs Nanowire Field-Effect Transistors Having SiNx Gate Insulator
- GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響
- 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化
- 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化
- C-12-21 MOSFETスイッチによる対称型可変インダクタの検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
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