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北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- ドライエッチ面を含むAl_2O_3O_3/AlGaN/GaN構造の界面評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ドライエッチ面を含むAl_2O_3O_3/AlGaN/GaN構造の界面評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ドライエッチ面を含むAl_2O_3O_3/AlGaN/GaN構造の界面評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響
- C-12-9 60GHz帯ディテクタの設計・評価(ミリ波/テラヘルツIC(1),C-12. 集積回路,一般セッション)
- C-10-7 プレス加工カーボンナノチューブネットワークの低周波雑音(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-12-22 低電力PWMクロックデータ再生回路(アナログ回路枝術,C-12. 集積回路,一般セッション)
- C-2-46 左手系小型アンテナの設計と評価(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-10-6 カーボンファイバおよびCNT添加カーボンファイバの低周波雑音(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-8 多層グラフェンの導電率の温度依存性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価
- Investigation on optical absorption properties of electrochemically formed porous InP using photoelectric conversion devices
- AlInN/GaN系ヘテロ構造の表面・界面評価(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換 (シリコン材料・デバイス)
- プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- プロセス条件がAlGaN/GaNヘテロMOS構造特性に与える影響(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換 (電子部品・材料)
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換 (電子デバイス)
- 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性 (レーザ・量子エレクトロニクス)
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