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北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性 (電子部品・材料)
- 電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光電極特性 (電子デバイス)
- Characterization of interface states in Al2O3/AlGaN/GaN structures for improved performance of high-electron-mobility transistors
- CNT添加カーボンファイバの電気的特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-10-3 カーボンナノチューブネットワークTFTの特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 窒化物半導体異種接合の界面評価と制御 (特集 ワイドギャップ半導体・パワー素子の表面科学)
- A-1-14 11bit 5.luW複数位相型TDC付きマルチスロープADC(A-1.回路とシステム)
- CNT添加カーボンファイバの電気的特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の光吸収特性と光電変換(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- グラフェンテラヘルツデバイス研究のためのシミュレーション技術(特別招待講演,マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- グラフェンテラヘルツデバイス研究のためのシミュレーション技術(特別招待講演,マイクロ波フォトニクス技術,一般)
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- C-10-3 炭素繊維およびCNT添加炭素繊維の低周波雑音(その2)(C-10.電子デバイス)
- CI-1-3 グラフェンテラヘルツレーザーとフォトニックデバイス応用の可能性(CI-1.光アクティブデバイスの新たな展開,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- Effects of Cl_2-Based Inductively Coupled Plasma Etching of AlGaN on Interface Properties of Al_2O_3/AlGaN/GaN Heterostructures
- C-12-22 無線センサ用低電力小型送信モジュール(C-12.集積回路)
- C-12-31 2.4GHz回路の試作と評価(C-12.集積回路)
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