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北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- Hydrogen sensing characteristics and mechanism of Pd/AlGaN/GaN Schottky diodes subjected to oxygen gettering
- 酸素プラズマ雰囲気中PLD法により堆積された炭素薄膜の評価
- C_7F_を用いたC:F膜の堆積とその評価 : ガス圧依存性および気体混合による効果
- Effects of Oxygen and Substrate Temperature on Properties of Amorphous Carbon Films Fabricated by Plasma-Assisted Pulsed Laser Deposition Method
- 原子層堆積により形成したAl_2O_3/AlGaN/GaNの界面評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 金属薄膜による表面周期構造を利用したTHz波フィルタ(学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
- テラヘルツ領域用低損失コプレーナ導波路とそのEBGフィルタへの応用(学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
- AlGaN/GaN MIS構造におけるC-V特性の解釈(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- GaAs(111)B基板上に形成されたAlGaAs/GaAs量子構造のSi界面制御層による表面不活性化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Precisely Controlled Anodic Etching for Processing of GaAs based Quantum Nanostructures and Devices
- X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Silicon Interlayer Based Surface Passivation for AlGaAs/GaAs Quantum Structures on (111) B Surfaces
- AlGaNの表面制御とトランジスタ応用