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北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 絶縁膜/n-GaN MIS構造の光応答とセンサ応用(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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- 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御
- コプレーナ伝送線路を用いたサブテラヘルツ1次元周期構造の評価(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
- n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
- 単電子デバイスの準静的動作による断熱的スイッチング(半導体材料・デバイス)
- C-11-2 SOI表面に対する超高真空非接触C-V測定の適用
- QMESFETの提案と試作
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- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性
- AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価 (電子デバイス)
- Formation of ultrathin SiNx∕Si interface control double layer on (001) and (111) GaAs surfaces for ex situ deposition of high-k dielectrics
- MBE growth and in situ XPS characterization of silicon interlayers on (111)B surfaces for passivation of GaAs quantum wire devices
- AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- High-k Al2O3 MOS structures with Si interface control layer formed on air-exposed GaAs and InGaAs wafers
- ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価 (電子デバイス)
- ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価 (レーザ・量子エレクトロニクス)
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