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京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 | 論文
- InGaN量子井戸発光デバイスのふく射再結合機構 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
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- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
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- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
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- プラズマ暖用CVDによって成長した太陽電池用単結晶シリコン薄膜の電気的特性
- The Effects of Carbon Ion Irradiation Revealed by Excised Perforated Intestines as a Late Morbidity for Uterine Cancer Treatment
- 25aRF-6 rfトラップに閉じ込めた単一Yb^+の^2S_-^2D_時計遷移の分光(25aRF 量子エレクトロニクス(周波数標準・イオントラップ),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 負屈折媒質における群速度とエネルギー流 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 負屈折媒質における群速度とエネルギー流 (光エレクトロニクス)
- 負屈折媒質における群速度とエネルギー流 (フォトニックネットワーク)
- 25aRE-8 二重共振構造をもつメタマテリアルにおける第二次高調波の増強(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 窒化ハフニウムを陰極とした電界放出電子源の作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 高周波マグネトロンスパッタリングによる遷移金属窒化物・炭化物薄膜の作製と冷陰極材料としての評価
- 極微電子源の陰極材料としての遷移金属窒化物薄膜の低温形成
- 極微フィールドエミッタへのイオン衝撃に関する計算機実験
- 電子ビーム蒸着法によるPZT薄膜の作成 : 気相成長
- SiCステップ制御エピタキシーとデバイス応用(学会統合記念)