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京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 | 論文
- プログラム編成を担当して(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- 結晶成長と工学 : 二ーズとの接点
- シリコン微小電子源のイオンビーム空間電荷中和への応用(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 半球形阻止電界型エネルギー分析器を用いたシリコン電界放出電子源のエネルギー分析
- 水素ガス導入下におけるSi:C電界放出電子源の経時変化の測定
- 窒化ハフニウムフィールドエミッタアレイの耐久性の評価
- 29a-O-2 SXSによる表面層非破壊分析
- Si基板上へのSiCヘテロエピタキシャル成長
- エピタキシャル成長SiCのパワーデバイスへの応用
- Boron Emission Rate from Si/SiO_2 Interface Traps to Bulk Silicon for Dose Loss Modeling
- 25aRE-5 2次元金属力ゴメ格子におけるテラヘルツ磁気プラズモン(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- ガスソース分子線を用いたシリコンカーバイド単結晶成長の原子層制御
- p-CdSbの不純物伝導領域における電流磁気効果 : 半導体 (下純物)
- 化合物半導体CdSbのデンドライト : 結晶成長
- 14a-K-8 CdSbの負の磁気抵抗
- 5a-G-3 p-CdSbの低温における電気的性質の異方性
- GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用
- 高分解能ラザフォード後方散乱分析(RBS)による銀負イオン注入熱酸化薄膜における銀の熱拡散分布の測定と拡散障壁による単層銀ナノ粒子の形成
- 25aRF-5 小型リニアRFイオントラップに閉じ込めたBa^+イオンのレーザ冷却II(25aRF 量子エレクトロニクス(周波数標準・イオントラップ),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- ゲート電極付き窒化ニオブフィールドエミッタの作製