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京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 | 論文
- イオンビームアシスト蒸着法により作製した窒化ニオブフィールドエミッタの電子放出特性
- 真空マイクロエレクトロニクス素子の陰極材料としての窒化ニオブ薄膜の作製と評価
- 雑音電力を用いた極微フィールドエミッタの安定性の定量的評価
- 二次元フォトニック結晶面発光レーザー
- 二次元フォトニック結晶レーザー (特集 ナノテクノロジーの最前線)
- 二次元フォトニック結晶面発光レーザー (技術特集1 次世代光技術を変える! 半導体レーザー)
- SiCおよび関連材料国際会議報告
- SiC および関連ワイドギヤップ半導体研究会
- 多結晶Si薄膜の製作 : エピタキシー(VPE)
- 6H-SiCの気相成長 : エピタキシー(VPE)
- SiCの熱酸化 : 欠陥
- α-SiCの気相成長 : エピタキシー
- 多結晶Si薄膜の製作 : エピタキシー
- α-SiCの気相成長 : エピタキシー (LPE, VPE)
- ディップ法による6H-SiCの液相エピタキシャル成長 : エピタキシー (LPE, VPE)
- CVD法によるα-SiCのエピタキシャル成長
- β-SiCの気相成長
- SiCの気相成長 : エピタクシー
- 12a-H-8 p-CdSbの極低温における高電界効果
- Cd_3As_2の電気的性質 : 半導体(化合物・音波)