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京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 | 論文
- 5a-G-5 Cd_3As_2のホール効果
- 3p-G-5 化合物半導体Cd_3As_2単結晶作成とその性質
- II-V化合物半導体Cd_3As_2の結晶成長 : 半導体 : 結晶成長
- 電界電子放出特性その場解析アナログ回路の改良(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Effect of C^-implantation on Nerve-Cell Attachment to Polystyrene Films
- 炭素負イオン注入処理を施した高分子材料上におけるタンパク質吸着性の評価
- 負イオン注入形成Geナノ粒子含有SiO_2薄膜の電気的特性
- S-Kチャートによる電界放出デバイス評価技術(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 真空ナノエレクトロニクス素子の切片傾きチャートによる解析
- レーザ照射処理を施したカーボンナノチューブの電子放出特性の切片傾きチャートによる解析
- 負イオン注入法によるSiO2薄膜中での金ナノ粒子の2次元的配列 (特集 デバイス)
- 次世代イオン注入プロセスのためのイオンビーム空間電荷中和システム
- マイクロガスジェットイオン源の放電特性把握実験
- 低エネルギー小型マイクロ波イオン源を用いたイオソビームアシスト蒸着装置の開発
- 23aRF-2 光子対に対する幾何学的位相の観測(23aRF 量子エレクトロニクス(量子情報基礎理論),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 有機金属分子線エピタキシャル法による可視発光半導体GaAsPのSi基板上成長(平成9年度第3回)関西支部研究例会の講演要旨
- TEOSを原料としてリモートプラズマCVD法により作製したSiO_2膜の電流伝導機構
- リモートプラズマCVD法による高品質SiO_2膜の低温形成とSi-MOSFETへの応用
- HfN薄膜からのスパッタイオンの放出角度分布測定
- 化学エッチングを用いて作製したメサ構造による多結晶シリコン太陽電池の評価