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九州工業大学マイクロ化総合技術センター | 論文
- C-12-8 CMOS偶数段リング発振回路の最適設計条件の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- 強誘電体メモリ(FeRAM)の長期データ保持特性テスト法(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
- C-12-54 メモリセル読み出し信号電圧に着目したFeRAM評価手法
- 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
- 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM (II) : I/O部の設計と評価結果
- 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM (I) : チップアーキテクチャと内部SRAM部の設計
- インクジェット法で作製したカーボンブラックからの電界電子放出
- インクジェット法で作製したカーボンブラックからの電界電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- C-12-2 直接多項式フィッティングに基づくSRAMスタティックノイズマージンの評価(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-3 ユニバーサルSRAM TEGによるSRAM動作マージンの評価(C-12.集積回路,一般セッション)
- 有機物のイオン照射改質によるマイクロコールドエミッタ材料の創製
- (3) 学部教育での集積回路チップ設計製作実習(第1セッション 教育システム(1))
- イオンビーム改質したフォトレジストからの電子放出
- 陽極化成で形成したSiフィールドエミッタの電子放出特性
- 陽極化成による単結晶シリコンフィールドエミッタの製作
- (44)マイクロ構造を利用した新分野の実習教育 : 集積回路からバイオセンサーまで(第13セッション 教材の開発(I))
- C-12-19 片チャネルラッチ構成の偶数段リング発振回路の検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- 大規模不揮発メモリLSIのアナログビットマップ解析システム(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- イオン照射による薄膜の変形現象を利用して作製した電界放出型電子源(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- ダブルパルスレーザ走査法による多結晶Si結晶粒の横方向成長とTFT特性(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
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