スポンサーリンク
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部 | 論文
- 10Gbps対応LSIパッケージ
- 埋め込みPHS構造FETを用いたX帯高出力MMIC増幅器
- 埋め込みPHS構造FETを用いたX帯高出力MMIC増幅器
- 埋め込みPHS構造FETを用いたX帯高出力MMIC増幅器
- 表面洗浄処理がGaAs FETsのデバイス特性に及ぼす影響(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- Ka帯低雑音MMIC増幅器
- AlGaAs/GaAs HBTの過渡応答特性
- コプレーナ線路型オンウェハプローブとマイクロストリップ変換部の位相変化解析
- ステップドープチャネルFETの大信号特性解析
- 0.4W Q帯電力増幅器MMIC
- C-2-3 94GHz 帯4逓倍型ハーモニックミキサMMIC
- 94GHz帯4逓倍型ハーモニックミキサMMIC
- 94GHz帯4逓倍型ハーモニックミキサMMIC
- W帯モノリシック低雑音増幅器モジュール
- C-10-12 GaAs ダイオードスイッチの RF 基本特性と増幅器への応用
- Ka帯低雑音増幅器MMIC
- 低電流動作時のFETの不安定動作領域における雑音パラメータの抽出法
- 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-11 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガー FET の安定化