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三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 | 論文
- Ka帯用 高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT
- Ka帯用高耐湿・高出力TaN/AuゲートpHEMT(ミリ波技術/一般)
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- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
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- AlInAs/InGaAs HEMTの信頼性
- 携帯端末用HBT電力増幅器,AWAD2006)
- 携帯端末用HBT電力増幅器
- C-2-27 X帯60W高効率GaN内部整合FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
- Cat-CVD法により保護膜形成したC帯100W超級GaN-HEMT (特集 光・高周波デバイス)
- Cat-CVD法によるAlGaN/GaN HEMT表面のSiN膜パッシベーション(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
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- 高周波デバイスの特性向上に向けたCat-CVD技術の適用 (特集 光・高周波デバイス)
- 50%比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 50%比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 直並列・並列併用形S帯100W GaN FETスイッチ
- 無線通信用1.2/2.4GHz帯及び2.6/5.2GHz帯CMOS周波数逓倍器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)