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三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 | 論文
- 無線通信用1.2/2.4GHz帯及び2.6/5.2GHz帯CMOS周波数逓倍器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- CS-5-6 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25 / 43Gbps EA変調器付DFB-LD
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変換器付DFB-LD(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- C-14-9 高RF出力同軸型PDモジュール(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- 高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティ InGaAs pin PD
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- CS-5-4 100GbE用25Gbps pin-PD(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- UHF帯低電圧動作高効率高出力FET増幅器
- 低電圧動作・高出力WSi/W二層ゲートSAGFET
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器
- C-10-6 CDMA端末用2.4V低リファレンス電圧動作InGaP-HBT電力増幅器(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 寄生容量補償形FETバランを用いた2GHz帯GaAs-MMICバランス形アップミクサ
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