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三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所 | 論文
- 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- GaAs方向性結合器付き検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-2-55 ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- AlGaAs/InGaAs PHEMTの劣化メカニズム(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- C-2-6 高調波負荷整合回路付きW帯2倍波取り出し型発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 高調波負荷を最適化したW帯2倍波高出力発振器
- C-10-18 Ku帯用高出力内部整合型Hetero-structure FET(C-10.電子デバイス)
- C-10-22 10Gbit/sフリップフロップ内蔵分布型EA変調器駆動IC
- 携帯端末基地局用100W出力HFET
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
- K帯WSi/Au T型埋め込みゲート高出力HEMT
- 12 GHz帯内部整合高出力高効率HEMT
- 結合線路によりインピーダンス整合したミリ波帯MMIC増幅器
- AlGaAs/InGaAs HEMTを用いた10Gb/s EA変調器ドライバIC
- HEMTを用いたPDC用高出力増幅器モジュール
- 60GHz帯高出力PHEMT
- InP HEMTを用いた低局発電力駆動V帯モノリシックResistiveミクサ
- GaAsプレーナー形ショットキーダイオードのエレクトロマイグレーション耐性
- U帯高出力HEMT
- GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)