スポンサーリンク
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所 | 論文
- AlGaAs/InGaAs PHEMTの大信号動作時の劣化機構 : 高電界による半導体表面劣化(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- C-2-33 次世代移動体通信基地局用3-way 200W LDMOSドハティ増幅器(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-1 受動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 能動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-17 GaAs基板上に作製したカプラ付きHBT RF検波回路の基本検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-16 増幅段バイパス型利得切替HBT増幅器に関する検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 2.5/3.5GHz帯InGaP HBT電力増幅器モジュール(C-10.電子デバイス,一般講演)
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ
- ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- C-10-12 マイクロ波時間波形測定によるHBTの最大動作領域解析
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- GSM/EDGEデユアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
- GSM/EDGEデュアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
- C-10-17 5GHz帯HBT-MMIC低雑音ドライバとスイッチの試作
- C-10-16 マルチフィンガーHBTの熱均一動作のためのバラスト抵抗設計
- GSM方式携帯電話用HBTパワーアンプ (特集 化合物半導体)
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- C-10-8 ***電流切替回路による低電圧動作HBT電力増幅器の歪み改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-4 HBT を用いた携帯電話用高効率増幅器における入力高調波整合の効果
スポンサーリンク