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三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所 | 論文
- 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- GaAs高周波デバイスの湿度に起因した劣化(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
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- AlGaAs/InGaAs PHEMTの大信号動作時の劣化機構 : 高電界による半導体表面劣化(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
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- 低電圧・広帯域動作CDMA用HBT電力増幅器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
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- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
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- 携帯端末用HBT電力増幅器,AWAD2006)
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- 薄膜抵抗からなるポスト壁導波路無反射終端器(マイクロ波,EMC,一般)
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- CS-4-9 スイッチ切替による複数の周波数帯で動作可能な帯域可変フィルタ(CS-4.無線回路の広帯域・マルチバンド化技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- CS-4-1 反射波注入法を用いた周波数可変増幅器の広帯域化(CS-4.無線回路の広帯域・マルチバンド化技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-2-22 半物理的な非線形モデルによるデバイス構造検討手法の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-21 X帯55W内部整合GaN-FET : BPF設計思想に基づく広帯域インピーダンス整合回路(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
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