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三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所 | 論文
- C-2-20 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-19 5.8GHz高調波整合型内部整合GaN高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
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- 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
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- 2.4GHz帯無線LAN用低電圧動作GaAs送受信一体化MMIC
- 低消費電流動作PHS用送受信一体化GaAs MMIC
- セラミック基板を用いた1.9GHz用RFフロントエンドモジュール
- C-10-6 デュアルバンドHBT-MMIC用バンド切換スイッチ回路に関する検討
- C-10-2 3.2V動作GSM900/1800用HBT-MMIC電力増幅器
- 50GHz帯超低雑音増幅器MMIC
- ハーメチックシールパッケージにマウントしたV帯モノリシック低雑音増幅器モジュール
- ミリ波帯モノリシック低雑音増幅器
- 6〜55GHz帯モノリシック分布増幅器
- 低電流・低歪みカスコードFETミクサを用いたPHS用送受信一体化RFフロントエンドMMIC
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- GaAs方向性結合器付き検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)