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ローム株式会社研究開発本部 | 論文
- 低オン抵抗SiCトレンチMOSFETの開発(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
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- 強誘電体デバイスを用いたロジックインメモリVLSIの構成(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
- 強誘電体不揮発性ロジック素子(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- 強誘電体キャパシタを用いた不揮発性ロジックの開発
- 強誘電体デバイスに基づくロジックインメモリVLSIの構成
- STN薄膜を用いたMFMIS FETの電気特性
- STN薄膜を用いたMFMIS FETの電気特性
- 「PZT薄膜の不揮発性メモリへの応用研究」
- 強誘電体薄膜のNDRO不揮発性メモリ応用への研究
- 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 分子線エピタキシーにより作製したn-GaN/p-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- C-14-3 アンテナ集積型RTD発振器を用いた300GHz帯無線リンク(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-6 共鳴トンネルダイオード受信器を用いた300GHz帯無線リンク(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- CI-1-6 高速光無線通信モジュールの開発動向(CI-1.チップ間インターコネクションに向けた短距離フォトニクスの進展,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-14-10 共鳴トンネルダイオード受信器の感度特性の評価(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- C-14-8 共鳴トンネルダイオード受信器による10Gbpsテラヘルツ無線通信(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
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