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ルネサスエレクトロニクス | 論文
- C-12-2 オンチップ電源ノイズ離散化手法とRF直接電力注入によるSRAMのイミュニティ評価への応用(C-12.集積回路,一般セッション)
- オンチップ診断機構とDPIを用いたSRAMコアのイミュニティ評価(高速デジタルLSI回路技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
- オンチップ診断機構とDPIを用いたSRAMコアのイミュニティ評価(高速デジタルLSI回路技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
- 国際会議CHES 2011報告
- スケーリング則から見た低電力技術とその方向(集積回路とアーキテクチャの協創〜ノーマリオフコンピューティングによる低消費電力化への挑戦〜)
- 非線形プロセスモデルに基づくＣＭＰ‐ＡＰＣ（第２報）―セリアスラリーによる酸化膜のＣＭＰのＲｕｎ‐ｔｏ‐Ｒｕｎ制御― : —セリアスラリーによる酸化膜のCMPのRun-to-Run制御—
- PbフリーBGAはんだ接続部の衝撃耐性評価手法の確立 : (第2報)はんだ接続部応力による衝撃耐性評価方法の検討
- テスト時ピーク電力最適化に向けた28nmHKMGプロセスのデジタルVdrop検出センサー (集積回路)
- オンチップ診断機構とDPIを用いたSRAMコアのイミュニティ評価
- オンチップ診断機構とDPIを用いたSRAMコアのイミュニティ評価
- 高温保持後のSn-3.0Ag-0.5Cuはんだ接合部の疲労寿命評価
- Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス(配線・実装技術と関連材料技術)
- 400ppmの送受信周波数偏差に対応可能なシリアルATA用PHY(ネットワークプロセッサ,通信のための信号処理,無線LAN/PAN,一般)
- InGaZnOのチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化(配線・実装技術と関連材料技術)
- 400ppmの送受信周波数偏差に対応可能なシリアルATA用PHY(ネットワークプロセッサ,通信のための信号処理,無線LAN/PAN,一般)
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- 27aAA-8 磁壁電流駆動を用いたCo/Ni細線におけるスピン分極率の温度依存性(27aAA スピントロニクス(磁気渦・磁壁・磁気抵抗・スピントルク),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- SRAMとオンチップメモリBISTを用いたチップ固有ID生成回路(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 国際会議CHES 2011報告
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