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ルネサスエレクトロニクス | 論文
- マルチモードトランシーバに関する報告
- RTNトラップ位置・エネルギー・振幅・時定数の統計分布評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- J0601-4-1 高温熱処理後のSn3Ag0.5Cuはんだ接合部の疲労寿命評価([J0601-4]電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(4))
- 信号線・電源線ノイズのオンチップ測定と測定結果に基づいた特性の解析 : 学位取得までの道のりを振り返って(招待講演,学生・若手研究会)
- データコンパータ技術動向 : 2011年7月(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- アクティブディキャップを用いた電源共振雑音低減手法(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 動的基板制御による非対称SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nm DP-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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- トレンチフィリングによる600VクラススーパージャンクションMOSFETに対するバーティカルチャージインバランス効果
- 高度版ランダム化加算減算鎖法に対する多重電力解析攻撃
- サイドチャネル攻撃へのウィンドウ法を用いた防御法に対するフォールト攻撃
- ランダム化加算減算鎖法に対するSPA攻撃
- 動的基板制御による非対称SRAM
- 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM
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