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ルネサスエレクトロニクス | 論文
- サイドチャネル攻撃へのウィンドウ法を用いた防御法に対するDPA攻撃
- サイドチャネル攻撃を防ぐモンゴメリ型楕円曲線上の高速なスカラー倍計算方法 : 理論的アプローチ(電子社会に向けたコンピュータセキュリティ技術)
- サイドチャネル攻撃へのウィンドウ法を用いた防御法に対するフォールト攻撃
- ランダム化加算減算鎖法に対するSPA攻撃
- サイドチャネル攻撃及びフォールト攻撃を凌ぐハイブリッドハードウェア攻撃
- 90-65nmテクノロジーに対応できるオンチップメモリは?
- 異物起因歩留りの予測手法
- SOI BiC-DMOSにおけるパルスホットキャリア評価の必要性
- 厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化(電源制御,パワーゲーティング,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 厚膜MOS電源スイッチを用いた高速電源遮断技術によるモバイルプロセッサの低電力化(電源制御,パワーゲーティング, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 : ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計
- PTI-ABC SOIを用いた低消費電力SOC設計 : ボディバイアスコントロールによるばらつきを抑えた低消費電力回路設計(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
- 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
- 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法(新メモリ技術とシステムLSI)
- 800Mbps動作DDRメモリ対応DLLおよび90°位相シフタ
- 800Mbps動作DDRメモリ対応DLLおよび90゜位相シフタ
- SOCを低電力化する回路技術とデバイスモデルの課題(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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