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ルネサスエレクトロニクス | 論文
- J031031 高温劣化を考慮したSn3AgO.5Cuはんだ接合部の疲労寿命予測手法([J03103]電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(3))
- CT-2-4 高性能かつ高信頼度ミックスシグナルLSI技術(CT-2. LSIにおける電源関連技術,チュートリアルセッション,ソサイエティ)
- 0.3Vマッチ線センスアンプを用いた65nm CMOS 250MHz動作18Mb TCAM(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 : 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える?(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 増々アナログインタフェース機能を拡充するマイコン(パネル討論,アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 高電圧ICプロセスにおける中空を有するトレンチ分離の効用
- C-12-9 SRAMのAC電源変動に対する不良応答と素子ばらつきの影響(C-12.集積回路)
- アナログ設計に革新を!! Smart Analog
- デジタル電流比較器制御によるSRAM待機電力の削減(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- LTE対応コミュニケーションプロセッサR-Mobile U2における電力制御技術 : "Power saver"によるクロック制御手法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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- 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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- 28nm HKMGテクノロジにおけるEM耐性を強化した1.8V I/O NMOS電源スイッチによる123μWスタンバイ電力技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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- InGaZnOチャネルの酸素制御と Gate/Drain Offset 構造によるBEOLトランジスタの高信頼化
- Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス
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