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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター | 論文
- [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 金属ナノホールアレイを用いた表面プラズモン面発光レーザー
- 金属微小ホールアレイを用いた表面プラズモン面発光レーザー (特集 VCSELの最先端技術と応用,そして将来展望)
- 表面プラズモン共鳴を用いた偏波制御VCSELアレイ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- CS-4-5 表面プラズモンミラーを集積化した面発光レーザ(CS-4.光インターコネクション技術の最新動向,シンポジウム)
- C-4-13 微小金属ホールアレイを集積化した850nm帯表面プラズモンVCSEL(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- CS-4-6 BCB平坦化構造を有する12.5Gbps動作850nm帯面発光レーザ(CS-4. 応用分野が広がる面発光レーザ(VCSEL)技術の最新動向, エレクトロニクス1)
- B-2-18 UWBドップラーレーダを用いた歩行する人体の運動・形状パラメータ推定に関する検討(B-2.宇宙・航行エレクトロニクス,一般セッション)
- C-10-6 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(C-10.電子デバイス)
- 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 10Gb/s光通信用InGaP/GaAs HBTチップセット(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- UVリソグラフィーを用いたサブクォーターミクロンゲート AlGaAs/InGaAs HEMT
- BCB誘電体膜を用いた低損失ミリ波フリップチップIC
- フリップチップ実装を用いたミリ波帯ICの開発 (特集 高速信号実装技術)
- フリップチップを用いたミリ波帯ICの開発
- MBB実装を用いたK帯MFIC増幅器
- フリップチップボンディングを用いた新しいミリ波IC「MFIC」の基礎検討
- 非対称分極書き込みによる非破壊読み出し型強誘電体メモリのインプリント耐性改善(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- C-11-8 非対称分極書き込み法による非破壊読み出し FeRAM のインプリント耐性改善
- ジメチルヒドラジンを窒素源に用いたGaNのマスクレスELO成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)