非対称分極書き込みによる非破壊読み出し型強誘電体メモリのインプリント耐性改善(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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強誘電体メモリ(ferroelectric random access memory : FeRAM)において、我々は分極反転を行わずに読み出す、非破壊読み出し法(non-destructive readout : NDRO)を提案した。NDRO方式のFeRAMで読み出し信号電圧がインプリントによるP-Vヒステリシスループの歪みに対して影響を受けない非対称分極書き込み法をNDRO方式のFeRAMに導入した。この方法を用いることで、85℃でインプリントによるヒステリシスループの歪みが発生しても、FeRAMの読み出し回数が10^<16>回以上を実現できることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-14
著者
-
加藤 剛久
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
嶋田 恭博
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
加藤 剛久
松下電器産業 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
嶋田 恭博
松下電器産業 半導体社 半導体デバイス研究センター
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山田 隆善
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
香山 信三
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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