MOCVD法による(110)/(111)混在配向Bi_4Ti_3O_<12>膜の低温形成

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概要

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• 2007-07-10

著者

• 加藤 剛久

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 田中 浩之

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 金子 幸広

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 嶋田 恭博

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 田中 浩之

  松下電器産業 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 金子 幸広

  松下電器産業 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 加藤 剛久

  松下電器産業 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 嶋田 恭博

  松下電器産業 半導体社 半導体デバイス研究センター

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