嶋田 恭博 | 松下電器産業 半導体社 半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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加藤 剛久
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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嶋田 恭博
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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加藤 剛久
松下電器産業 半導体社 半導体デバイス研究センター
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嶋田 恭博
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田中 浩之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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金子 幸広
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田中 浩之
松下電器産業 半導体社 半導体デバイス研究センター
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金子 幸広
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著作論文
- MOCVD法による(110)/(111)混在配向Bi_4Ti_3O_膜の低温形成
- 非対称分極書き込みによる非破壊読み出し型強誘電体メモリのインプリント耐性改善(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- C-11-8 非対称分極書き込み法による非破壊読み出し FeRAM のインプリント耐性改善