金子 幸広 | パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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金子 幸広
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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加藤 剛久
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 浩之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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嶋田 恭博
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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金子 幸広
パナソニック株式会社 先端技術研究所
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森江 隆
九州工業大学・生命体工学研究科
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森江 隆
Nttネットワークサービスシステム研究所
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田中 浩之
松下電器産業 半導体社 半導体デバイス研究センター
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金子 幸広
松下電器産業 半導体社 半導体デバイス研究センター
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加藤 剛久
松下電器産業 半導体社 半導体デバイス研究センター
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嶋田 恭博
松下電器産業 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上田 路人
パナソニック株式会社先端技術研究所
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森江 隆
九州工業大学
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藤井 映志
九州工業大学大学院生命体工学研究科
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西谷 雄
パナソニック株式会社先端技術研究所
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加藤 剛久
パナソニック(株)オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社
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上田 路人
パナソニック株式会社 先端技術研究所
著作論文
- 酸化物エピタキシャル技術を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタメモリ(TFT(有機,酸化物),一般)
- MOCVD法による(110)/(111)混在配向Bi_4Ti_3O_膜の低温形成
- 強誘電体ゲートトランジスタを用いたシナプス素子におけるSTDP機能の実証