酸化物エピタキシャル技術を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタメモリ(TFT(有機,酸化物),一般)
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概要
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微細化可能な新規不揮発性メモリとして,酸化物材料の積層構造を用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタを開発した.SrTiO_3基板上にゲート電極SrRuO_3,強誘電体Pb(Zr,Ti)O_3,酸化物半導体ZnOを順にエピタキシャル成長させることで,結晶性が良く,界面反応層がないヘテロ構造を得ることができた.この積層構造のゲート電極に電圧を印加したところ分極の向きに伴い電子の蓄積/空乏が起こった.この積層構造を用いてトランジスタを試作し,ゲート電圧を±10Vで挿引したところ,分極の変化に伴って電子の蓄積/空乏化が起こり,5桁以上のドレイン電流の変調が見られた.データ保持特性にも優れ,10^5秒後も5桁以上のI_<on>/I_<off>比を保つことを確認した.加えて多値データの記憶にも適し,安定した保持特性を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-04-16
著者
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加藤 剛久
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 浩之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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金子 幸広
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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嶋田 恭博
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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加藤 剛久
パナソニック(株)オートモーティブ&インダストリアルシステムズ社
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金子 幸広
パナソニック株式会社 先端技術研究所
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