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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター | 論文
- ジメチルヒドラジンを窒素源に用いたGaNのマスクレスELO成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ジメチルヒドラジンを窒素源に用いたGaNのマスクレスELO成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-10-15 セルフアラインプロセスにより作製したGaN系縦型トランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-12 AlGaN/GaNヘテロ構造上にin-situ成膜した結晶状SiN極薄膜の評価(C-10.電子デバイス,一般講演)
- セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ,AWAD2006)
- 低雑音・低消費電力DBS用ダウンコンバータMMIC
- 低雑音・低消費電力DBS用ダウンコンバータMMIC
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- 1.9GHz帯パワーHBT MMIC
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 招待講演 準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス (電子デバイス)
- 窒化物半導体への局在バンド導入によるアクセプタ活性化の新手法(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物半導体への局在バンド導入によるアクセプタ活性化の新手法(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物半導体への局在バンド導入によるアクセプタ活性化の新手法
- 無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- SC-10-5 チップサイズパッケージを用いた準ミリ波帯完全集積化MMIC技術(SC-10.無線通信・レーダセンサの世界を拓くミリ波デバイス・回路と関連技術)
- チップサイズパッケージを用いた完全集積化Kバンド広帯域MMIC増幅器
- 窒化物半導体への局在バンド導入によるアクセプタ活性化の新手法(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高効率ワンチップGaNインバータIC (特集 環境革新技術)