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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター | 論文
- 移動体通信低電圧GaAsパワーMMICs
- セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ
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- SC-7-6 温特補償バイアス回路を有するW-CDMA用 高効率 HBT MMIC
- B-2-19 UWBドップラーレーダによる歩行する人体の運動軌跡および形状推定(B-2.宇宙・航行エレクトロニクス,一般セッション)
- B-9-6 フレーム直接接続型両面放熱面実装インバータパッケージ(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
- C-10-5 Fe注入によるAlGaN/GaN HFETの高耐熱素子分離技術(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-4-4 無給電素子一体型ダイポールアンテナを用いたAlGaN/GaNプラズモン共鳴テラヘルツデテクタ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-2-29 厚膜再配線構造を用いた26GHz帯近距離レーダ用SiGe-BiCMOS送受信チップセット(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- GaNパワーデバイスにおける分極エンジニアリング (小特集 パワー半導体結晶成長)
- 耐圧ブースト技術によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化
- IMSL線路を用いたミリ波CMOS WLCSP技術(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
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- 端面非吸収窓構造を用いた超高出力青紫レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
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- 準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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