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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター | 論文
- サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高感度GaNテラヘルツ受信デバイス (特集 光と電波の境界領域:テラヘルツ波を使う)
- サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体 : 基板オフ角依存性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- C-10-19 InAlGaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFETによるオーミックコンタクト抵抗の低減(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 立方晶GaN/GaAs(001)ヘテロ構造の光バイアスエレクトロリフレクタンス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-10-10 無極性a面上ノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HFET(C-10.電子デバイス,一般講演)
- セルフアラインプロセスにより作製したGaN系縦型トランジスタ
- ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
- ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
- IMSL線路を用いたミリ波CMOS WLCSP技術 (マイクロ波)
- IMSL線路を用いたミリ波CMOS WLCSP技術 (電子デバイス)
- BCB誘電体を用いた低損失ミリ波フリップチップIC
- HFET/HBTによる30GHzダウンコンバータMFIC
- MBB実装を用いたKa帯ミキサIC
- ミリ波フリップチップICモジュ-ル (特集 高周波実装技術)
- [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
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