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パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター | 論文
- SC-10-5 チップサイズパッケージを用いた準ミリ波帯完全集積化MMIC技術(SC-10.無線通信・レーダセンサの世界を拓くミリ波デバイス・回路と関連技術)
- C-10-21 AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(C-10.電子デバイス)
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC
- チップサイズパッケージを用いた完全集積化MMIC技術
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN HFET を用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性
- チップサイズパッケージを用いた完全集積化Kバンド広帯域MMIC増幅器
- W-CDMA基地局用200W MODFETパワーデバイス
- W-CDMA基地局用200W MODFET
- ゲート方向によるGaAsパワーFETの温特補償
- ゲート方位によるGaAs FETの温特制御
- 位相シフト露光法による0.2μmゲートMODFETを用いた低電流広帯域アンプ
- 補助グランド突起をもつリードフレームによるアイソレーション改善効果
- AlGaAs/GaAs HBT の電流利得のエミッタ方向依存性
- ノーマリオフ型GITを集積化したワンチップGaNインバータIC
- 2.2/3インチ単板カラー4K2K CMOSイメージセンサ : 画素数・フレーム速度のRGB適応読み出しによる高感度化
- C-10-10 in-situ SiN膜を用いたAlGaN/GaN MIS型HFET(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET (特集/第20回テクノフェスタ)