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サンケン電気 | 論文
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- 瞬時値時分割デュアルモード制御正弦波変調インバータ(小テーマ : 回路技術関連)
- 逆導通GaN FETの特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- InGaNバッファ層を用いたGaAs(100)基板上InGaN成長
- MOCVD法によるサファイア基板上への(10-10)面GaN成長(III族窒化物研究の最前線)
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- MOCVD法によるサファイア基板上GaN成長におけるバッファ層アニールの影響
- Ga埋め込みGaN成長による欠陥密度の低減
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- Al層を挿入したサファイア基板上GaN成長
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- MOCVD法GaN成長層に対するキャリアガス組成の影響