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サンケン電気 | 論文
- GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
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- 27pXA-15 マルチチャンネルダブルロックインによる単一粒子・2次元分光 IV
- 22pXD-8 マルチチャンネルダブルロックインによる単一粒子・2次元分光 III
- CS-9-3 電源用GaN on Si電子デバイスの開発(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- CT-1-6 GaN on Siパワーエレクトロニクスの開発状況と展望(CT-1. 化合物半導体電子デバイスの現状とその可能性-次世代エレクトロニクスの代替と補完-, エレクトロニクス2)
- GaNバッファ層を用いた6H-SiC基板上GaN成長
- MOCVD法によるGaN成長におけるサファイア基板窒化の効果
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- システム同定機構を有する2慣性共振系の適応振動抑制制御
- 誘導電動機可変速ドライブにおける高性能化および高機能化技術
- UPS用電源管理ソフトウェア「LanSafe3」
- インパルシブトルクドライブ速度制御方式の瞬時トルク補償改善
- 誘導電動機を用いた高性能直接位置制御法
- 21pTR-4 InP, CuCl量子点の顕微非線形吸収分光(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
- 27aWA-9 マルチチャンネルロックインによる単一量子点の非線形吸収分光II(27aWA 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 28aXS-13 マルチチャンネルロックインによる単一量子点の非線形吸収分光(微粒子・ナノ結晶)(領域5)
- 27pXA-15 マルチチャンネルダブルロックインによる単一粒子・2次元分光IV
- 25aN-6 自己形成型Inp量子点における発光の明滅現象 II
- 29p-ZE-13 Photoluminescence of strain-induced InGaAs/GaAs coupled quantum dot-pairs