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(株)日立製作所半導体事業部 | 論文
- GaAsHIGFETにおけるゲートリーク電流発生機構
- 15-5 CS音声放送受信機用MSK復調ICの開発
- 1GビットAG-ANDフラッシュメモリの開発 : 多値方式における書き込み高速化技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
- 1.8V動作AND型512Mbフラッシュメモリの回路設計 (メモリ・混載メモリ及びIC一般)
- CDMA下り回線送信電力制御方式の検討
- 論理混載チップのためのDRAMマクロのモジュール化設計方式の提案
- 強誘電体キャパシタを用いたVcc/2プレート不揮発性DRAMの提案及びシミュレーションによる検証
- Vcc/2共通プレートを可能とする不揮発性強誘電体メモリの動作方式の提案
- 表面を清浄化したAu膜の超音波ボールボンディング特性
- 150 Au, Cu及びAl膜のボンディング性に与える雰囲気の影響
- 1.9GHz小型GaAs MMICアンテナスイッチ
- 超LSIの低電圧化
- ED2000-130 / SDM2000-112 / ICD-2000-66 DRAMリフレッシュエンジニアリングモデル
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- ベクトル計算機のための探索問題の計算法 : 並列バックトラック計算法
- AlN上に形成された厚膜導体の高周波伝送損特性に対するガラス滞留層の影響について
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- AAL type 1 の多重処理に関する検討
- 高速キャッシュSRAM用センスアンプ回路