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(株)日立製作所半導体グループ | 論文
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- ASICおよびMPU開発のTCAD/DA
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- SB-6-2 次世代スイッチング電源用パワーMOSFET
- TD-2-2 チュートリアル : テスト容易化設計 : 組込み自己テスト(BIST)
- テスト時同期化技術を用いたパーシャルスキャン設計方式
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- 大学教育への期待
- MONOS型不揮発性メモリーの開発
- 低圧CVD-Si_3N_4薄膜内の電荷捕獲中心の検討
- マルチレート外乱オブザーバを用いたCD-ROM装置のロバスト制御
- エネルギーフィルタTEMによる半導体デバイスの観察
- 高密度マクロセルジェネレータMOSAIC
- 高密度マクロセルジェネレータ MOSAlC
- 低電圧広帯域直接直交変調器IC