青砥 なほみ | Nec Ulsiデバイス開研
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概要
関連著者
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青砥 なほみ
Nec Ulsiデバイス開研
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青砥 なほみ
NEC ULSIデバイス開発研究所
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青木 秀充
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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五十嵐 信行
NECシリコンシステム研究所
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寺岡 有殿
日本電気(株)マイクロエレクトニクス研究所
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石田 宏一
Necシリコンシステム研究所
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五十嵐 信行
Necマイクロエレクトロニクス研
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山崎 進也
NEC ULSIデバイス開発研究所
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和氣 智子
NEC ULSIデバイス開発研究所
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山本 賢一
NEC資源環境技術研究所
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長谷 潮
NEC資源環境技術研究所
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辻 幹生
NECデバイス分析評価技術センター
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西山 岩男
日本電気(株)マイクロエレクトニクス研究所
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中森 雅治
NEC ULSIデバイス開発研究所
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石田 宏一
NEC ULSIデバイス開発研究所
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寺岡 有殿
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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西山 岩男
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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長谷 潮
Nec環境技術研究所
著作論文
- 微細構造内の金属汚染・イオン汚染分析 (特集:微細構造内の分析・観察技術)
- W及びTiの洗浄液中での溶解と再付着の検討
- DHF溶液中におけるSi基板表面のゼータ電位
- 微細コンタクトホール底Si表面自然酸化膜の制御
- デバイス製造プロセスと洗浄・クリーン化技術