田畑 仁 | 大阪大学 産業科学研究所
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概要
関連著者
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田畑 仁
大阪大学 産業科学研究所
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Tabata H
Department Of Bioengineering School Of Engineering University Of Tokyo
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川合 知二
大阪大学 産業科学研究所
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Tabata Hitoshi
The Institute Of Science And Industrial Research Osaka University
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Tabata Hitoshi
The Authors Are With The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
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Tanaka H
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
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田畑 仁
阪大産研:東大工
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Tanaka H
Osaka Univ. Osaka Jpn
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堀田 育志
大阪大学・産業科学研究所
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Joseph Mathew
大阪大学 産業科学研究所
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松井 英章
大阪大学 産業科学研究所
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堀田 育志
大阪大学 産業科学研究所
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中野 充
株式会社村田製作所
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中野 充
株式会社 村田製作所
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佐伯 洋昌
阪大産研
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田中 克彦
(株)村田製作所
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田中 克彦
村田製作所
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田中 克彦
株式会社 村田製作所
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松井 裕章
大阪大学ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構
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松井 裕章
大阪大学 ナノサイエンス・ナノテクノロジー研究推進機構
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田中 克彦
(株)村田製作所 技術開発本部
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片山 祐三
(株)村田製作所 技術開発本部
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片山 祐三
株式会社 村田製作所
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佐伯 洋昌
大阪大学 産業科学研究所 産業科学ナノテクノジーセンター
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中野 充
(株)村田製作所技術開発本部第3開発グループ開発2部
著作論文
- 酸化亜鉛半導体薄膜の光・電子・磁気機能 : 極性・非極性の観点から
- (Sr,Ba)Nb_2O_6薄膜の作製と基礎特性
- DNAナノテクロノジー/半導体トップダウン技術と自己組織化ボトムアップ技術の融合 : DANインプリンティングによるマスクレスナノパターンおよびバイオチップ応用
- 超伝導材料以外への展開 : 磁性材料・誘電材料・光学材料
- パルスレーザ堆積法によるII-VI族 (ZnO及びカルコゲナイド系) ワイドギャップ半導体のSi基板上への薄膜形成とその強誘電特性
- パルスレーザ堆積法によるII一VI族(ZnO及びカルコゲナイド系)ワイドギャップ半導体のSi基板上への薄膜形成とその強誘電特性
- DNA配線/DNA分子素子