パルスレーザ堆積法によるII-VI族 (ZnO及びカルコゲナイド系) ワイドギャップ半導体のSi基板上への薄膜形成とその強誘電特性

スポンサーリンク

概要

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク