パルスレーザ堆積法によるII一VI族(ZnO及びカルコゲナイド系)ワイドギャップ半導体のSi基板上への薄膜形成とその強誘電特性
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概要
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不揮発性メモリ等への応用を含め、酸化物の強誘電体薄膜の研究が活発に行われている。理想的な構造MFS-FET構造を得るためには、酸化物強誘電体薄膜を化学反応活性なSi素子上へ直接形成する必要がある。しかし酸化物を直接成膜した場合、界面にSiO_xが形成するという深刻な問題が避けられない。この問題を解決する方法として、非酸化物系のカルコゲナイド(II-VI族半導体)薄膜をSi基板上へ作製し、強誘電性を示すことを明らかにした。(Zn,Cd)Se、(Zn,Cd)TeおよびLiドープZnO薄膜に於いて、各々0.25V, 0.2V, O.18Vのメモリウィンドウ特性を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-02-16
著者
-
堀田 育志
大阪大学・産業科学研究所
-
Joseph Mathew
大阪大学 産業科学研究所
-
川合 知二
大阪大学 産業科学研究所
-
田畑 仁
大阪大学 産業科学研究所
-
Tabata H
Department Of Bioengineering School Of Engineering University Of Tokyo
-
松井 英章
大阪大学 産業科学研究所
-
堀田 育志
大阪大学 産業科学研究所
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