化合物半導体ナノ構造の作製と評価--酸化亜鉛バリスタの粒界構造と課電劣化の相関性について (第42回同志社大学理工学研究所研究発表会,2004年度同志社大学ハイテク・リサーチ,学術フロンティア合同シンポジウム講演予稿集)

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概要

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著者

• 吉門 進三

  同志社大学工学部電気工学教室

• 高田 雅之

  同志社大学理工学部

• 吉門 進三

  同志社大学理工学部

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