28a-D-9 GaInN歪量子井戸における圧電効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1997-03-28
著者
-
竹内 哲也
名城大理工
-
古森 美穂
名城大理工
-
曽田 茂稔
名城大理工
-
桂川 真樹
名城大理工
-
竹内 秀夫
名城大理工
-
酒井 浩光
名城大理工
-
天野 浩
名城大理工
-
赤崎 勇
名城大理工
-
金子 和
HP研究所
-
山岡 慶文
HP研究所
-
中川 茂
HP研究所
-
山田 範秀
HP研究所
関連論文
- 28a-D-9 GaInN歪量子井戸における圧電効果
- ホログラフィによる金属板の振動パターンの測定と音響特性との相関に関する実験的検討
- AlGaN PINダイオードによる炎センサとその温度特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- AlGaN PIN ダイオードによる炎センサとその温度特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 紫外・深紫外発光素子のための結晶成長技術 (特集 ここまで進んだ紫外発光素子)
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN系HFETsの電流コラプスの測定 : 非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物太陽電池の電極構造検討(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 非極性面を用いた窒化物太陽電池の作製(太陽電池,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 反射電極を用いた紫外発光素子の光取り出し効率改善(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 窒化物半導体トンネル接合の作製(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- III族窒化物半導体トンネル接合を用いた電流経路制御の検討(輸送特性,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlNテンプレートを用いた高品質AlN/GaN多層膜反射鏡の作製(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaInNチャンネルHFETのAlInNバリア層の検討(FET,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN量子井戸構造の内部量子効率(発光デバイス,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- その場観察X線回折測定を用いた窒化物半導体の有機金属化合物気相成長(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
- ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化物半導体太陽電池の集光特性(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- サファイア基板上へのモスアイ構造の形成方法の検討およびLEDへの応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)