新しい電子線蒸着装置とその特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
During the vacuum evaporation of materials by electron bombardment, the backscattered electrons frequently cause fine cracks and minute irregularities in the evaporated film.<BR>To avoid this problem, the behavior of backscattered electrons has been studied using the resistance network method. Electron beam trajectories and the surface temperatures of the tar get being bombarded have been investigated using a pierce-type electron gun and a high AG accelerating potential.<BR>From the results obtained, a new electron beam evaporator has been designed which has many advantageous features.
- 日本真空協会の論文
著者
関連論文
- 走査型電子顕微鏡による半導体の観察 : 電子ビームとその応用シンポジウム
- イオンエッチング装置の開発 : 電子ビームとその応用シンポジウム
- 電子線蒸着法の改良 : 逆散乱電子の除去と新しい蒸着装置 : 電子ビームシンポジウム
- 電子衝撃蒸着装置の試作とその応用 : 薄膜・超高真空管合同シンポジウム
- 薄膜抵抗体の電子ビームによる加工とその特性 : 電子ビーム加工シンポジウム
- イオンプローブの諸特性 : 荷電ビームと応用
- スパッタリング質量分析計の応用 : 荷電ビームと応用
- SUS430鋼の表面近傍の酸素が二次イオン質量分析におよぼす影響
- 二次イオン質量分析法の生体医学への応用 : ―ヒトの各種臓器分析への試み―
- 走査型電子顕微鏡による半導体素子の直接観察II : 半導体 : 測定法
- 電子線蒸着装置のshadowingへの応用 : X線・粒子線
- 2次イオン質量分析法 (セラミックスの表面,界面を探る)
- SIMSの生体分析への応用 (SIMS特集)
- 二次イオン放出--SIMSの生体分析への応用 (原子・分子・イオンの放出を観測する表面研究手法(技術ノ-ト))
- 負イオンによる絶縁物分析
- 液体ガリウムイオン源と走査型イオンマイクロビーム
- 玉虫色のひみつ--2次イオン質量分析法の応用
- 二次イオン質量分析法(SIMS)によるOrchard Leavesの定量分析
- 二次イオン質量分析法におけるダイナミック深さ測定法
- スパッタリングについて
- SIMSによる鋼中固溶炭素,窒素と水素の相互作用に関する研究
- 電子衝撃形固体イオン源
- スパッタ・イオン源の試作とIMA分析への応用
- IMAにおけるイオンモニタ法の開発とその応用
- 表面解析法におけるスパッタ・エッチング
- 二次イオン放出の吸着による影響 : イオンマイクロアナライザ (I)
- 鉄鋼材料研究のための種々の機能を備えたイオンマイクロアナライザー
- 新しい電子線蒸着装置とその特性