可視発光多孔質シリコンの微細構造と結晶性
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概要
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Porous silicon (hereafter PS) is produced by anodizing a silicon wafer in an HF solution. This paper describes characteristics of PS such as pore-morphology and crystallinity. Pore-morphology and crystallinity depend on anodization conditions as well as doped impurity and electrical resistivity (p) of wafers. When p-type wafers are employed, PS formed on them gives better crystallinity for lower electrical resistivity (p<0.01Ωcm) than for higher resistivity (p>1Ωcm) . The pore size of the former PS is larger than that of the latter. PS formed on n-type wafers (p<1Ωcm) consists of three layers showing different morphology depending on reaction time. Strong visible light seems to be emitted from PS composed of fine silicon crystallites with degraded crystallinity.
- 日本結晶学会の論文
著者
-
入戸野 修
東京工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻
-
入戸野 修
東工大工
-
竹本 邦子
東京工業大学大学院生;工学部金属工学科
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入戸野 修
東京工業大学理工学研究科材料工学専攻
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入戸野 修
東京工業大学工学部
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入戸野 修
東京工業大学
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竹本 邦子
東京工業大学工学部
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