ScAlN/単結晶ダイヤモンド構造を用いたSHF帯広帯域SAWデバイス(<特集>周波数発生・制御デバイスの新展開論文)
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概要
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本研究では,高圧電性ScAlN薄膜/単結晶ダイヤモンド(SCD)基板構造SHF帯広帯域SAWデバイスについて検討した結果を報告する.以前,ScAlN薄膜/6H-SiC基板構造を用いて,1GHz帯において広帯域かつ高QなSAW共振子が実現できることを報告しているが,3GHz帯では大幅なQの劣化が見られた.ここでは基板材料の選択によるSAW特性の変化を検討することを目的としている.まず,ScAlN/SCD構造におけるSAW伝搬特性を理論解析し,ScAlN/6H-SiC構造と同程度の大きなSAW速度Vと電気機械結合係数K^2が同時に得られることを明らかにする.次に,ScAlN/SCD構造を利用してトランスバーサル型SAWフィルタを作製し,理論どおり大きなVとK^2が同時に得られることを確認する.更に,本構造の場合,3GHz帯においてもSAWの伝搬損が小さいことを示す.最後に,同構造上に1ポートSAW共振子を作製し,3GHz帯においてもQの劣化が少なく,広帯域かつ高Qな高性能SAW共振子が実現できることを明らかにする.
- 2013-06-01
著者
-
大森 達也
千葉大
-
橋本 研也
千葉大院工
-
加納 一彦
(株)デンソー 基礎研究所
-
加納 一彦
株式会社デンソー基礎研究所
-
橋本 研也
千葉大学大学院工学研究科
-
橋本 研也
千葉大学
-
勅使河原 明彦
株式会社デンソー基礎研究所
-
Hashimoto Ken-ya
Graduate School Of Engineering Chiba University
-
大森 達也
千葉大学
-
梅澤 仁
産総研ダイヤモンド研究ラボ
-
加納 一彦
(株)デンソー
-
勅使河原 明彦
(株)デンソー
-
藤井 隆将
千葉大学
-
佐藤 修平
千葉大学
-
鹿田 真一
千葉大学
-
鹿田 真一
千葉大学:産総研ダイヤモンド研究ラボ
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