IBAD法を用いたc軸平行配向AlN薄膜の作製および極性反転すべり共振子への応用
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概要
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イオンビームアシスト成膜法(IBAD法)を用いてc軸が平行に配向したAlN薄膜の作製を試みた.3kVで加速されたN_2/Arイオンビームを成膜中に照射することによりc軸平行配向AlN薄膜が形成されることがわかった.すべりモード共振子を作製し,圧電特性の評価を行った結果,純横波のみを励振し,すべりモード電気機械結合係数k_<15>は0.05となった.c軸の面内方向はビームの照射方向と一致したため,ビーム方向により面内の成長方向を制御できると考えられる.そこで照射方向を反転させた4層のc軸平行極性反転AlN多層膜共振子の作製した.この共振子では高次モードの励振が観測され,極性反転構造が形成されていることを確認した.
- 2011-09-19
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